A SanDisk anunciou o lançamento da memória flash NAND Multinível que usa tecnologia de processamento de 43 nanômetros, desenvolvida com a Toshiba. O produto chegará ao mercado no segundo semestre deste ano, com a capacidades de 16 Gigabit e de 32Gigabits.
"Os recursos de tecnologia incluem a arquitetura patenteada da SanDisk All Bit Line (ABL) com algoritmos eficientes de programação e tamanho de página de 8-Kilobytes (KB), que oferecem alta performance. Litografia com tecnologia de ponta, outra inovação na tecnologia de processo, e a primeira arquitetura de cadeia (string) 64-NAND do setor oferecem custo mais baixo por megabyte e excelente performance. A geração de tecnologia de 43nm se tornará nosso principal foco durante 2008, conforme continuamos a oferecer tecnologia de ponta e vantagens de custo para nossos clientes", diz Rahdhir Thakur, vice-presidente executivo de tecnologia e operações mundiais da SanDisk.
A geração de memória flash NAND de 43nm, em conjunto com a inovação de sistemas e controladores proprietários da SanDisk, também deve possibilitar mercados emergentes como Drives de Estado Sólido (Solid State Drives - SSDs) e NAND gerenciada, como iNAND, para ampliar as capacidades de armazenamento flash do crescente mercado móvel, e para ampliar a liderança da empresa nas linhas de produto diferenciadas de alta performance.
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